淺談關(guān)于等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)

標(biāo)題：淺談等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)

等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理是利用低溫等離子體（非平衡等離子體）作能量源，工件置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使工件升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在工件表面形成固態(tài)薄膜。它包括了化學(xué)氣相沉積的一般技術(shù)，又有輝光放電的強(qiáng)化作用。

由于粒子間的碰撞，產(chǎn)生劇烈的氣體電離，使反應(yīng)氣體受到活化。同時(shí)發(fā)生陰極濺射效應(yīng)，為沉積薄膜提供了清潔的活性高的表面。因而整個(gè)沉積過(guò)程與僅有熱激活的過(guò)程有顯著不同。這兩方面的作用，在提高涂層結(jié)合力，降低沉積溫度，加快反應(yīng)速度諸方面都創(chuàng)造了有利條件。

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等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)按等離子體能量源方式劃分，有直流輝光放電、射頻放電和微波等離子體放電等。隨著頻率的增加，等離子體強(qiáng)化CVD過(guò)程的作用越明顯，形成化合物的溫度越低。

PCVD的工藝裝置由沉積室、反應(yīng)物輸送系統(tǒng)、放電電源、真空系統(tǒng)及檢測(cè)系統(tǒng)組成。氣源需用氣體凈化器除去水分和其它雜質(zhì)，經(jīng)調(diào)節(jié)裝置得到所需要的流量，再與源物質(zhì)同時(shí)被送入沉積室，在一定溫度和等離子體激活等條件下，得到所需的產(chǎn)物，并沉積在工件或基片表面。所以，PCVD工藝既包括等離子體物理過(guò)程，又包括等離子體化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。

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